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蚀刻加工几大要素

 

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 蚀刻加工是将材料使用化学反应或物理撞击作用,而移除的技术。 蚀刻加工在航空机械化学工业中是可加工技术广泛的被使用于减轻重量一切然版铭牌及传统腐蚀加工坊难以加工的薄型工件等之加工。 蚀刻加工技术可以分为干 蚀刻加工以及湿 蚀刻加工两大类。 蚀刻加工是将晶片寂寞与适当的化学溶液中或将化学溶液喷洒至晶片上经由溶液或与被 蚀刻加工物间的化学反应,难以主薄膜表面的原子以达到是个加工的目的干 蚀刻加工通常是一种电浆 蚀刻加工电浆在 蚀刻加工中作用可能是电浆中离子的物理性攻击,或者可能是电浆中活性自由基与晶片表面原子间的化学反应,甚至也可能是两者的复合作用化学性蚀刻加工是电浆蚀刻加工。用干蚀刻加工腐蚀加工主要需注意是个的速率均匀度选择比及蚀刻轮廓等。是个速率越快,蚀刻加工设备产能越快,腐蚀加工有助于降低成本及提升竞争力,蚀刻加工速率通常可藉由气体种类有江源极电压功率控制在其他因素上可接受的条件下越快越好。均匀度是芯片上不同位置的是个女差异的一个指针较佳的均匀度意味着金元将有较大的靓女,尤其当金源从三十四十一直到十二时面积越大均匀度的控制就显得更加重要。选择比是蚀刻材料的蚀刻速率对屏蔽或底层蚀刻速率的比例控制,控制选择比通常与气体种类的种类与比例电浆或电压功率甚至反应温度均有关系。蚀刻轮廓一般而言,越接近九十度越好,除了少数的特例之外,如接触窗或阶梯覆盖能力。

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